我国自主研发的第四代核电安全生产管理系统ASP-1通过验收

家居格调2025-07-08 06:09:50Read times

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研发验收【图文导读】图一:示意图及理化表征(a)基于GaSe的具有FET结构的二维忆阻器原理图。代生产以Ag为电极的忆阻器具有非易失的双极RS特性。

我国自主研发的第四代核电安全生产管理系统ASP-1通过验收

此外,核电Vg不仅可以调节基于GaSe的FET的传输特性,还可以调节基于GaSe的忆阻器中的VSET和VRESET,这表明可以应用在低功耗和复杂功能的多端子电子器件。此外,安全基于GaSe的忆阻器同时显示出长期保留(~104s)和高循环耐久性(~5000次循环)。管理(b)Ag/GaSe/Ag忆阻器的50个实验开关回路。

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其中,系统硒化镓(GaSe)是p型半导体,其间接带隙大约为2.0eV,直接带隙不小于25meV。通过图三:基于GaSe的忆阻器一周后的电阻开关行为(a)2V工作电压下GaSe忆阻器的I-V特征曲线。

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除了TMD之外,自主2D层状III-VI半导体材料由于其较好的电学和光学性质而备受关注。

此外,研发验收已经报道了一系列2D材料中的各种RS行为,包括氧化石墨烯,过渡金属二硫化物(TMD),六方氮化硼和黑磷。代生产另一种解决方案则是支持同时控制多款设备的应用。

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